消费电子仅是GaN规模化应用的第一站，近年来，工业领域对GaN的需求也在逐步攀升。根据AKCP机构测算，2023年网络设备、通信设备以及数据中心等的能耗将占全球总用电量的21%左右，成为了“碳中和”最难啃的骨头。其中，数据的需求将大幅度推高数据中心的建设速度，2023年，数据中心的能耗将占全球总用电量的8%左右。
因此，更高效率、更高功率密度的解决方案成为数据中心供电系统的迫切需求，而高频高效的氮化镓材料在服务器电源应用中显然具备绝对优势。
据充电头网获悉，英诺赛科在多个展会上推出的数据中心全链路解决方案中，就包含了 2KW 12V PSU 服务器电源方案。
该方案完美符合 80 Plus 钛金级能效，峰值效率高达96.5%，目标应用包括数据中心电源、通信电源和 LED 照明设备电源等能耗较大的系统，是降耗增效的关键。
尺寸：185mm x 65mm x 36mm（1U standard size）
效率：96.5%@230 Vac（80 Plus 钛金级能效）
功率密度：76W/in^3
InnoGaN：INN650TA070AH *2、INN650TA030AH *2、INN650D080BS *4
英诺赛科 2KW PSU 方案采用图腾柱无桥 PFC+LLC 结构，前端为 AC-DC 无桥图腾柱 PFC，后端为 DC-DC 隔离全桥 LLC 转换器。
通过效率测试可以看出，在输入电压 230Vac/264Vac 的条件下，英诺赛科 2KW PSU 方案的最高效率均达到 96.5%，能轻松满足 80 Plus 钛金级能效标准，为数据中心提供高效供电解决方案。
2KW PSU 方案采用 InnoGaN 650V 氮化镓芯片实现功率转换，其中，PFC 慢桥臂采用2颗INN650TA030AH（650V/30mΩ/Toll封装），PFC 快桥臂采用2颗INN650TA070AH（650V/70mΩ/Toll封装），LLC 桥臂采用4颗INN650D080BS（650V/80mΩ/DFN8*8封装）。
与 Si MOS 相比，InnoGaN 具备低 Qg，低Co(tr)，无反向恢复损耗 Qrr 等特性。其中，InnoGaN 的 Qg 为同等 Ron 的 Si MOS 的1/10，低 Qg 意味着更快的开关速度，可以有效降低开关损耗和驱动损耗；无反向恢复电荷 Qrr，这一特性使 InnoGaN 成为 CCM 图腾柱无桥 PFC 的理想选择。
在 LLC 软开关应用中，最小死区时间 Tdeadmin 正比于 Co(tr)*fsw*Lm，InnoGaN 的 Co(tr) 为同等 Ron 的 Si MOS 的1/8，更小的 Co(tr)，意味着系统采用更小死区时间设计的同时，可实现更高的开关频率和更小的励磁电流设计，从而提升 LLC 的功率密度和系统效率。
高效率：在230Vac Vin下效率高达96.5%，符合 80Plus 钛金级能效标准
高功率密度：76W/in3
1U标准尺寸：185mmx 65mmx 36mm（PCBA）
英诺赛科2KW 12V PSU 方案不仅能够为数据中心链路降耗增效，在通信电源、LED 照明等应用中同样能够体现小体积、高效率的优势。
英诺赛科早已在数据中心领域进行产品布局，并在多场展会与研讨会上发布了数据中心全链路（从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电）解决方案。随着头部企业的引导和市场应用的深入，氮化镓的优越性能逐渐显现，将有望成为行业“标准”，实现数据中心电源的技术迭代。
文章来源：英诺赛科
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