芯东西（公众号：aichip001）
作者 | 高歌
编辑 | Panken
芯东西4月20日报道，刚刚，薄膜沉积设备供应商拓荆科技登陆科创板，发行价71.88元/股。
拓荆科技开盘价为95.01元/股。开盘后，拓荆科技股价最高涨至104元/股，涨幅达44%，之后有所回落。截至芯东西成文，拓荆科技报97元/股，涨幅35%，总市值122亿元。
薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节，晶圆厂通过这种技术制造芯片衬底上的微米或纳米级薄膜材料层。薄膜沉积设备和光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造的三大主设备。目前这一市场基本被应用材料、泛林半导体、东京电子等国际龙头占据，是国产半导体的“卡脖子”环节。
拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程产线，并已展开10nm及以下制程产品的验证测试。
▲拓荆科技产品（来源：拓荆科技官网）
拓荆科技是国产薄膜沉积设备龙头企业，是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，曾三次被中国半导体行业协会评为“中国半导体设备五强企业”。其产品已应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂，打破了国际厂商对国内市场的垄断。
报告期内，拓荆科技呈增长趋势，2018年至2021年1-9月各期营收分别为7064.40万元、2.51亿元、4.36亿元和3.74亿元。
由于股权较为分散，拓荆科技无控股股东或实际控制人。本次IPO，拓荆科技计划募资10亿元，将分别用于“高端半导体设备扩产”、“先进半导体设备的技术研发与改进”、“ALD设备研发与产业化”与“补充流动资金”四个项目。
▲拓荆科技募资方向与使用安排（来源：拓荆科技招股书）
拓荆科技成立于2010年11月，由中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司和孙丽杰分别出资600万元和400万元，持有拓荆有限60%和40%的股权。
拓荆科技2010年成立后，2011年其首台12英寸PECVD设备就出厂到中芯国际进行验证。2013年，拓荆科技的PECVD设备PF-300T通过中芯国际产品线测试，并于次年收获中芯国际首个量产机台PF-300T的订单。
2014年1月，孙丽杰将其持有的拓荆有限40%股权转让给姜谦、凌复华、张孝勇、刘忆军、张先智等五名外籍专家，以及沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙四个员工持股平台。
截至拓荆科技上市，姜谦、凌复华、张孝勇、刘忆军、张先智等人为拓荆科技的前十大自然人股东，不过刘忆军、凌复华两人已不在拓荆科技任职，张先智为拓荆科技顾问。姜谦和张孝勇分别为拓荆科技的董事和副总经理，也是拓荆科技7位核心技术人员中的2人。
2021年7月12日，拓荆科技申报科创板IPO获受理。截至今天拓荆科技上市，共历时9个月。
报告期内，拓荆科技2018年至2021年1-9月各期营收分别为7064.40万元、2.51亿元、4.36亿元和3.74亿元，近三年复合增长率达148.32%。
随着营收的增长，拓荆科技亏损逐步减少，并在2021年前9个月实现扭亏为盈。其2018年、2019年、2020年和2021年1-9月净利润分别为-1.03亿元、-1936.64万元、-1169.99万元和5704.87万元。
报告期各期，拓荆科技研发投入分别为1.08亿元、7431.87万元、1.23亿元和1.30亿元，分别占各期营收的152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。由于2018年拓荆科技营收较少，其研发投入占比超过100%。
▲拓荆科技2018年至2021年1-9月各期营收、净利润变化
具体来说，拓荆科技的主要产品有等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列。其中PECVD设备是拓荆科技的核心产品，也是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
招股书透露，拓荆科技已于2018年向某国际领先晶圆厂发货了一台PECVD设备用于先进逻辑芯片制造研发产线。2020年，该晶圆厂向拓荆科技增订一台设备，用于其先进制程试产线。
报告期内，拓荆科技的PECVD设备收入占比均超过75%，在2019年和2020年该类产品的收入占总营收比例分别达100%和97.55%。
▲2018年至2021年1-9月拓荆科技各业务营收占比
作为半导体制造设备厂商，拓荆科技的主要客户有中芯国际、长江存储、华虹集团、晶合集成、北京燕东微、粤芯半导体等国内主要晶圆厂。
▲拓荆科技2018年-2021年前9个月前五大客户（来源：拓荆科技招股书）
拓荆科技的主要原材料采购项目为机械、电器、机电一体、气体输送系统等，主要供应商包括万机仪器、超科林微电子设备（上海）有限公司等。
▲拓荆科技2018年-2021年前9个月前五大供应商（来源：拓荆科技招股书）
从全球半导体薄膜沉积设备市场来看，美国应用材料（AMAT）、美国泛林半导体（Lam Research）、日本东京电子、荷兰先晶半导体（ASMI）等国际设备巨头占据主导地位。
根据市场咨询公司Gartner的数据，东京电子和ASMI分别占据了全球31%和29%的ALD设备市场；应用材料占据了85%的PVD设备市场；应用材料、泛林半导体和东京电子则分别以30%、21%和19%的市场份额，占据了七成的全球CVD设备市场。
▲全球ALD、CVD、PVD设备市场份额（来源：拓荆科技招股书）
相比这些国际半导体设备巨头，拓荆科技在运营规模和企业认知度上存在竞争劣势。不过在国内市场，拓荆科技的核心技术已经达到国际水平，其产品可以与海外巨头进行正面竞争，并拿下一定的市场份额。
▲拓荆科技核心技术情况（来源：拓荆科技招股书）
公开招标信息显示，2019-2020年拓荆科技PECVD设备中标机台数量占长江存储、上海华力、无锡华虹和上海积塔四家下游企业招标总量的16.65%。拓荆科技还获评中芯国际2020年度最佳合作厂商、华虹宏力2020年度优秀供应商等称号。
相比同行业可比公司，拓荆科技2018年-2020年毛利率低于可比公司平均值。随着其市场地位和议价能力的提升，拓荆科技2021年前九个月毛利率则高于可比公司平均值。
不过需注意的是，拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，和国内可比公司以及国际半导体设备巨头的业务模式上存在一定差距。
▲拓荆科技与同行业可比公司毛利率对比（来源：拓荆科技招股书）
截至2021年9月30日，拓荆科技的科研人员共189人，占员工总数的44.06%，其中海外技术专家及高端技术人才十余人。
根据招股书，拓荆科技的核心技术人员共有7人，包括董事长吕光泉、董事姜谦、总经理田晓明、副总经理周坚、副总经理张孝勇、资深技术总监叶五毛以及产品部总监宁建平。
值得注意的是，除产品部总监宁建平为中国国籍外，拓荆科技的其余核心技术人员均为外国国籍。
吕光泉为美国加州大学圣地亚哥分校博士，1994年8月至1996年4月，他任美国科学基金会尖端电子材料研究中心电子材料副研究员；1996年4月至2007年7月，吕光泉就职于美国诺发，历任高级工程师、PECVD工艺研发部经理、项目主任兼工艺研发高级经理、ALD技术高级经理；2007年7月至2014年8月，他就职于德国爱思强公司。2014年9月，吕光泉加入拓荆科技。
姜谦曾在美国布兰迪斯大学获博士学位。1982年1月至1984年6月，姜谦任麻省理工学院材料科学工程中心研究员。1984年7月，姜谦于英特尔就职，历任工程师、研究员、项目经理、部门经理等多个职位。此后他在美国诺发、欣欣科技（沈阳）有限公司担任过副总裁和执行董事职务。2010年4月至今，姜谦任职于拓荆科技。
▲拓荆科技董事长吕光泉（左一）和创始人、董事姜谦（右一）
田晓明则有美国东北大学电子工程学硕士和新加坡南洋理工大学工商管理硕士学位。1991年9月至1994年12月，田晓明任美国Codi Semiconductor,Inc.工艺开发经理；1994年12月至2008年10月，他就职于泛林半导体，担任过资深工艺工程师、资深工艺研发经理、资深大客户经理、中国区技术总监等职位；2008年10月至2018年2月，田晓明为尼康精机（上海）有限公司资深副总裁；此后，田晓明就职于拓荆科技。
张孝勇为美国马里兰大学化学工程博士，曾在美国诺发历任工艺开发工程师、资深工艺开发工程师、超低介电质工艺开发经理、资深重要客户经理等职位。2011年3月，张孝勇加入拓荆科技。
周坚为美国德克萨斯A&M大学电气工程硕士，曾先后任职或就读于江西邮电科研所、美国德克萨斯A&M大学、Nonometrics Inc.、Mattson Technology, Inc.、Nonometrics Inc.、Ecovoltz Inc.、睿励科学仪器（上海）有限公司等。2018年11月，周坚进入拓荆科技。
叶五毛为加州大学伯克利分校博士，曾在Nashua Computer Products、西部数据、Santa Clara, CA、美国诺发、NegevTech, Inc.、Hitachi High-Technologies America、Honeywell International等企业任职；2017年8月，叶五毛任拓荆科技资深技术总监。
宁建平则为贵州大学硕士，正在攻读大连理工大学博士。2010年7月，宁建平任职于拓荆科技子公司拓荆键科，现为拓荆科技产品部总监。
国家集成电路基金、国投上海和中微公司是拓荆科技的前三大股东，分别持有26.48%、18.23%和11.20%的股份。
此外，吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智、张孝勇，以及沈阳盛腾、芯鑫和等11个员工持股平台均为姜谦一致行动人。因此姜谦通过直接持股和一致行动人，控制了拓荆科技15.192%的股权。
▲拓荆科技股权结构（来源：拓荆科技招股书）
根据拓荆科技的公司章程规定，其董事会由9名董事组成，包括3名独立董事。其董事会决议的表决实行一人一票，且董事会做出决议必须经全体董事的过半数通过。
在6名非独立董事中，国家集成电路基金有权提名2位，国投上海、中微公司分别有权提名1名，姜谦及其一致行动人有权提名2名。由于任何单一股东以及一致行动人提名的非独立董事均不足董事会席位的1/2，拓荆科技不存在控股股东或实际控制人。
拓荆科技作为我国薄膜沉积设备龙头，基本上代表了我国PECVD等产品的领先水平。本次IPO，拓荆科技将获得更充裕的研发资金，并加大自身融资渠道，扩大运营规模。
但值得注意的是，拓荆科技当前收入较为依赖PECVD设备，ALD、SACVD设备处于市场开拓阶段，其国际巨头占据了绝大部分市场，其盈利有着不确定性。同时，拓荆科技核心技术人员以外来专家为主，在人才培养上或需要更大的投入。
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