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半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，具有较高的导热率、熔点等。#碳化硅#
资料来源：Yole
基于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。
碳化硅材料的特性决定了它将会逐步取代传统硅基，打开巨大的市场空间。
根据Yole数据，受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将达到62.97亿美元，2021-2027年的复合增速约为34%。
2021年-2027年全球碳化硅功率器件各细分市场规模：
资料来源：YOLE
碳化硅产业链涉及多个复杂技术环节。依次可分为：衬底、外延、器件、终端应用。
受制于材料端的制备难度大，良率低，产能小，目前产业链的价值集中于衬底和外延部分，前端两部分占碳化硅器件成本的 47%、23%，而后端的设计、制造、封测环节仅占 30%。
碳化硅产业链图谱：
资料来源：维科网·锂电，海通国际
衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ω·cm左右，半绝缘型电阻率大于106Ω·cm。
在导电型衬底上生长SiC衬底制作的功率器件可以应用在新能源汽车、电网、光伏逆变器、轨道交通等高压工作场景。
在半绝缘型衬底上生长GaN外延制作的微波射频器件主要应用在射频开关、功率放大器、滤波器等通讯场景，可以满足5G通讯对高频性能和高功率处理性能的要求。
随着国内碳化硅衬底产能建设的推进，市场对于其原材料高纯热场、高纯保温、高纯碳粉、高纯碳化硅粉等需求将快速增加。
目前中国大陆碳化硅衬底规划投资超200亿元，未来远期规划年产能超400万片。
从行业市场格局来看，目前具备半绝缘型碳化硅衬底生产能力的国外同行业公司主要有CREE公司及II-VI公司。
由于碳化硅衬底生产技术难度高，国内具备技术储备和量产能力的公司较少，行业竞争格局较好。
我国的导电型碳化硅衬底龙头天科合达市场份额仅有1.7%。在半绝缘型衬底方面，我国的天岳先进进入全球头部厂商地位，2020年市场份额为30%，市场占有率排名全球第三、国内第一。
碳化硅生长技术难度高导致了目前碳化硅衬底厂商生产良率较低。天岳先进作为国内半绝缘型碳化硅衬底龙头企业，晶棒环节良率近两年平均水平约为50%，衬底环节良率近两年在70%-75%区间。
当前国内碳化硅衬底产能仍有较大部分为2-4英寸，部分头部厂商完成了6英寸碳化硅衬底的技术储备并实现了量产，但规模较小，8英寸衬底生产技术仍处于技术储备之中。国外碳化硅龙头CREE、II-IV分别在2015和2019年实现了8英寸碳化硅衬底的量产能力。
全球半绝缘型碳化硅衬底市场份额：
资料来源：Yole
碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。
外延加工占碳化硅器件成本结构的23%，仅次于衬底制备。
碳化硅外延片成本结构：
资料来源：NERL
在晶体生长和晶片加工过程中，不可避免地会在表面或近表面产生缺陷，导致衬底的材料质量和表面质量下降，直接影响制得器件的性能。而外延局的生长可以消除许多缺陷，使晶格排列整齐，表面形貌得到改观。
碳化硅晶片主要加工流程：
资料来源：长城国瑞
外延设备主要由意大利LPE公司、德国Aixtron公司、日本TEL和Nuflare公司所垄断。四家公司的设备工作原理不同，在性能上各有优势。
国际上碳化硅外延企业主要有昭和电工、II-VI、Norstel、Cree、Rohm、三菱电机、英飞凌等，国内主要有东莞天域和厦门瀚天天成，两者均已实现产业化，可供应4-6 英寸外延片。此外中电科13 所、55 所亦均有内部供应的外延片生产部门。
从碳化硅行业整体竞争格局来看，海外龙头占据主导地位，IDM模式是行业主流。
国外如 Wolfspeed、Rohm 及意法半导体 （ST）等，而国内企业则专注于单个环节制造，如衬底领域的天科合达、天岳先进，外延领域的瀚天天成、东莞天域，器件领域的斯达半导、泰科天润等。
下游碳化硅器件市场，意法半导体占据最大市场份额，达40%，其次为CREE和Rohm，分别占据15%和14%的市场份额。
碳中和趋势下，碳化硅有望在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透。Wolfspeed预计2023年碳化硅材料市场达2000万美元，2025年进一步增长至2700万美元。工艺节点的转变将带来成本优化，进一步促进市场需求扩增。全球碳化硅市场处于高速成长阶段，国内厂商替代空间空间。
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