根据《韩联社》报导，韩国司法部公布光复节（即8月15日）特赦对象名单，其中就包含三星电子副董事长李在镕，这也表示，李在镕将可以合法重掌三星集团。韩国法务部长官韩东勋在会上说：“由于迫切需要克服国家经济危机，我们精心挑选了通过积极的技术投资和创造就业机会来引领国家增长引擎的经济领导人，以得到赦免。”
作为亚洲第四大经济体，韩国依赖科技和出口的韩国正努力应对通胀飙升、需求疲软、情绪低迷和支出放缓等问题。三星创始家族的继承人李在镕誓言保证“通过持续的投资和创造就业机会”为韩国国民经济作出自己的最大努力。
李在镕在2009年担任三星营运长及执行副总裁，2012年担任三星集团副会长。
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长期以来，业内一直在期待李在镕重任后会做出重大项目和投资的决定，公司消息人士称，此类决定只能由李在镕做出。
“特赦这消除了李在镕在技术上受到的就业限制，”研究公司Leaders Index的负责人Park Ju-gun说。
“而三星正在努力促成的项目，例如重大并购或投资，这些可能与赦免有关。”甚至在获得韩国总统特赦之前，李在镕就已经重新成为众人瞩目的焦点，5 月份就与韩国总统尹锡悦和美国总统乔拜登一起访问三星的平泽芯片生产基地，并且展示了三星的最先进技术。
之后，李在镕还在 6 月访问了欧洲，会见了 ASML的首席执行官 Peter Wennink，讨论了关键高端芯片设备的采购事宜。
2021年 11 月，三星决定在德克萨斯州泰勒建造一座价值 170 亿美元的新芯片工厂。
三星高管今年早些时候曾暗示即将进行的潜在收购活动。三星电子自 2017 年完成以 80 亿美元收购音频电子制造商哈曼以来，一直没有进行过高调的交易。
尽管需求低迷等宏观经济因素可能会影响投资决策，但三星拥有巨大的资金储备。截至 6 月底，三星电子的现金余额从去年同期的 111 万亿美元小幅增加至 125 万亿韩元（951.3 亿美元）。
虽然相关专家表示李在镕现在可以更自由地参与管理，但由于正在进行的审判，如果被判犯有欺诈和股票操纵罪，他将面临重返监狱的风险，他的法律困境仍然是存在的。
8 月 19 日李在镕带领其高管为新的半导体研发综合体破土动工，并宣布计划到 2028 年在新的研发设施上投资 20 万亿韩元（150 亿美元）。据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。
据三星新闻稿称，新设施将引领内存和系统半导体的下一代设备和工艺的先进研究，以及基于长期路线图的创新技术开发。
占地109000平方米（相当于20个足球场大）的新综合研发中心将位于距首尔1小时车程的三星机兴园区内。它靠近三星设备解决方案 (DS) 部门的华城园区，该园区于 1992 年创建了世界上第一个 64Mb DRAM。三星在平泽的生产基地可以生产 DRAM（使用 10nm 级技术）和逻辑芯片（使用 5nm 工艺技术和更薄的技术节点）也在附近。
三星的声明称，李在镕访问了华城园区与 DS 部门的员工会面，在那里他们讨论了在公司内部促进创新的方法。在与 DS 部门高管的单独会议上，讨论了全球半导体行业的当前问题、下一代半导体技术研发的进展以及确保技术以扩大半导体领导地位的方法。
三星新的研发中心破土动工。来源：三星
三星总裁兼 DS 部门负责人 Kye Hyun Kyung表示，公司的目标是从世界各地招募人才到新的综合研发中心工作。Kyung 在新闻声明中说：“我们新的最先进的综合研发中心将成为创新中心，来自世界各地的最优秀的研究人才可以在这里共同成长。我们期待这个新的开始将会为我们半导体业务的可持续增长奠定基础。”
该公司在声明中表示，三星电子正在寻求克服半导体规模化的限制并巩固其在半导体技术方面的竞争优势。
“在许多情况下，公司将基础研究和工艺技术的开发分开，但三星新的研发中心将在除设备设计之外的几乎所有方面开展业务，”科技媒体 AnandTech 评论道。
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